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半导体芯片

       在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓,(砷化镓有毒,所以一些劣质电路板不要好奇分解它)锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代,因特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风。但由于大型计算机的出现,需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代,日本企业名列前茅。

资本开支的计划。此外,一部分之前“冻结”的项目也将陆续解冻,例如,TI的RFAB、TSMC12厂5期和UMC12A厂3/4期(前12B厂)以及三星的第16生产线和IM在新加坡的闪存工厂。SEMI的全球集成电路制造厂观测报告也揭示了一批即将破土动工的新建芯片制造厂的计划,如TSMC14厂的第4期、可能动工的FlashAlliance的5厂及其他。

当然即使2010年的支出已呈大幅度增长态势,前道fab厂的支出仍需在2011年增长至少49%,才能使得设备支出回到2007年的水平。此外,设备的支出计划也取决于全球经济的持续复苏情况。SEMI全球集成电路制造厂观测报告(SEMIWorldFabForecast)预测,2011年前道fab的支出额将略逊于2007年,达到423亿美元。

2011年全球半导体市场增长乏力

2011年全球半导体市场规模为3009.4亿美元,仅实现微弱增长0.88%,究其原因,主要是金融危机后全球经济复苏缺乏动力,美国经济持续低迷,欧洲债务危机益发严重且缺乏统一、有效的救助手段,新兴市场国家普遍通货膨胀加剧。经济环境的不景气以及对通货膨胀的抑制,直接导致了其对电子整机需求的减弱。此外,半导体厂商在金融危机期间逆市投资扩大产能的市场效应也集中于2012年释放,市场需求放缓、制造产能过剩直接导致了产品价格的大幅下降,以DRAM产品价格下滑幅度最多。

CD-RAM三星电子瞬间超越日本企业。那么走进智能手机、平板计算机时代的如今,在节省电力的移动式D-RAM竞争中谁会取得最终胜利?

昨天在三星电子器兴区华城举办的“20NANO级D-RAM及Flash量产”活动中再次验证了三星电子是内存半导体的至尊。“一只老虎(三星电子)和三只小猫(Hynix、Elpida、Micron)”这一世界半导体生产结构没有改变。今年5月,排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量产计划”,进而让全世界震惊。不过目前只生产出试用品,没能动摇三星电子18年的根基。另外,排名世界第二的Hynix要从明年初开始量产。

所谓20NANO是指半导体线路的线幅(电线间距)为20NANO米(1NANO米是10亿分之一米)。线幅是头发的4000分之一,真是令人难以想象。属于尖端技术的10NANO级明年上市。过去,三星电子是以随着美日企业大量生产两国先开发的D-RAM和NANDFlash提高理论。不过2006年是首次推出NANOD-RAM,而且今年为止每年推出改善的产品,进而主导世界市场。是从“追随型”转为了“引领型”。

半导体业界的习惯就是量产现代芯片之前开发下一代芯片。三星电子是开发了下下一代芯片,进而作为引领者占上风。今年由于D-RAM价格下降,日本和台湾企业考虑减产时三星电子会长李建熙还鼓励了攻击性投资。昨天在活动现场,李会长表示:“要警戒半导体业界的强风。”围绕P-RAM(IBM)、R-RAM(三星电子)、M-RAM(Hynix)等引领下一代的半导体,日后将有一场惊心动魄的战争。


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