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动态随机存储器

动态随机存储器(dynamic random access memory) 采用动态存储单元的随机存储器,简称DRAM或动态RAM。

动态随机存取存储器,最为常见的系统内存,即DRAM(Dynamic Random Access Memory)。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 关机就会丢失数据。

一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种,差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存,SRAM的数据则不需要刷新过程,在上电期间,数据不会丢失。

动态RAM的总体结构和工作原理与静态RAM(见随机存储器)的区别是,存储矩阵采用了动态存储单元。静态触发器是靠电路状态的反馈自锁保存数据,动态存储单元则是通过在电容上存储电荷保存数据。

动态存储单元的电路结构有各种型式,最简单的一种是图所示的单管动态存储单元。

在写入数据时字线给出高电平,MOS管VT导通,位线上的电压信号经VT向电容C充电,将数据存入C中。读出时字线同样给出高电平,使VT导通,电容C经VT向位线上的寄生电容CB充电,使位线获得读出信号。

动态存储单元的电路结构简单,集成度比静态RAM高得多。但是,电容C上的电荷不可能长久保存,要及时向电容补充电荷,以免数据丢失。为此,在动态RAM中设置了“刷新”控制电路,用于周期性地将存储矩阵里的数据读出,经过放大后重新写入。这不仅增加了控制电路的复杂性,也严重地影响了读/写速度,使动态RAM的工作速度远低于静态RAM。


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