网站地图
张进成(西安电子科技大学微电子学院教授)

张进成,男,1976年生,陕西省人。现任西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师,宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,陕西省大功率半导体照明工程技术研究中心副主任,2009年国家技术发明二等奖获得者(排名第二),IEEE会员,中国电子学会空间电子学分会第六届委员。先后入选2010年陕西省“新世纪三五人才”计划,被授予陕西省青年科技新星(2010年)、教育部新世纪优秀人才(2007年)、陕西省高等学校优秀青年教师(2005年)、校十佳青年教师(2005年)等荣誉称号。

张进成分别于1998年、2001年和2004年在西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得学士、硕士和博士学位,师从著名微电子专家郝跃教授。2005年6月晋升为副教授,2009年6月破格晋升教授。分别于2005年12月和2010年12月被评为微电子学与固体电子学硕士生指导教师和博士生指导教师。2008年10月起担任宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任。

(1)宽禁带半导体技术(设备、材料、微波器件、功率器件等);

(2)低维半导体材料与器件(超晶格、纳米、石墨烯等);

(3)半导体光电材料与器件(LED、太阳电池等)。

长期从事 III 氮化物半导体材料与器件研究。自 2000年以来,先后主持国家科技重大专项、国家自然科学基金项目(重大项目课题 1 项、重点项目1项)、国家安全重大基础研究/国防 973计划(课题1 项、子专题 2项)、国防科技预先研究项目、国防技术预研基金重点和一般项目、各类科技人才计划项目等三十余项。

作为主要技术负责人先后研制出表面反应增强型MOCVD系统、高性能GaN异质结构外延材料、GaN微波毫米波功率器件、高亮度GaN蓝光LED以及InGaN基化合物半导体太阳电池等大量研究成果,填补了多项国内空白,打破了发达国家的技术垄断。合作开发的MOCVD技术和高亮度蓝光LED技术已实现技术转让和产业化,产值上亿元。研制的高性能GaN异质结构外延材料在中科院微电子所等国内单位以及日本、新加坡等国的研究机构中获得大量应用,被评价为材料性能达到国际先进水平。研究成果获得国家技术发明二等奖 1 项(排名第二),省部级一、二等奖 5项。

2000年以来,发表期刊论文 156 篇,被SCI 收录 103 篇,EI 收录 128 篇,SCI 他引近200次,国际会议论文 21 篇,在国内外学术会议做特邀报告3 次。获得授权国家发明专利28件,合作出版专著和教材共2部。

代表性论文:

1、 Meng, Fanna, *Zhang, Jincheng, Zhou, Hao, Ma, Juncai, Xue, Junshuai, Dang, Lisha, Zhang, Linxia, Lu,Ming, Ai, Shan, Li, Xiaogang, Hao, Yue, Transport characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures with high electron mobility, Journal of Applied Physics, 112(2), 2012, EI,SCI

2、 *Zhang Jin-Cheng, Zheng Peng-Tian, Zhang Juan, Xu Zhi-Hao, Hao Yue, Degradation mechanism of two-dimensional electron gas density in high Al-content AlGaN/GaN heterostructures, Chinese Physics B, 18(7), pp 2998-3001, 2009, SCI

3、 Liu Z. Y., Xu S. R., *Zhang J. C., Xue J. S., Xue X. Y., Niu M. T., Hao Y., Effect of defects on strain state in nonpolar a-plane GaN, Journal of Crystal Growth, 343(1), 2012, EI,SCI

4、 Juncai Ma, *Jincheng Zhang, Junshuai Xue, Zhiyu Lin, Ziyang Liu, Xiaoyong Xue, Xiaohua Ma, Yue Hao, Characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterojunction HEMTs with an improved breakdown voltage, Journal of Semiconductors, 33(1), p 014002 (5 pp.), 2012, EI (被Semiconductor Today重点报道)

5、 Lin Zhi-Yu, *Zhang Jin-Cheng, Zhou Hao, Li Xiao-Gang, Meng Fan-Na, Zhang Lin-Xia, Ai Shan, Xu Sheng-Rui, Zhao Yi, Hao Yue, Influence of double AlN buffer layers on the qualities of GaN films prepared by metal-organic chemical vapour deposition, Chinese Physics B, 21(12), 2012/12, EI,SCI

教学与人才培养

多年来承担了《模拟电子技术基础》、《高频电子线路》、《集成电路工艺基础》等课程的主教教学工作。至2012年共培养学术型硕士研究生(已毕业)共计 17名,其中校优秀硕士论文获奖者 7名,包括特等奖 2名,一等奖2 名,二等奖 3名。指导的优秀硕士论文获奖比例为 41.2%(同期全校获奖比例<6%),获特等奖比例 11.8%(同期全校获特等奖比例<0.5%)。


相关文章推荐:
西安电子科技大学微电子学院 | 西安电子科技大学 | 西安电子科技大学 | 微电子学与固体电子学 | 微电子学与固体电子学 | MOCVD |
相关词汇词典